LibRar.Org.Ua — Бібліотека українських авторефератів

Загрузка...

Головна → Електроніка. Обчислювальна техніка

Всього — 1755 Сторінка 10 із 88

181. Вплив зовнішніх факторів на електрофізичні властивості приповерхневого шару базисних граней кристалів CdS

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 Б.З. Цибуляк; Львів. нац. ун-т ім. І.Франка. — Л., 2006. — 20 с. — укp.

Вивчено процеси перебудови дефектної структури приповерхневого шару базисних граней кристалів CdS. Установлено явище емісії електронів з базисних граней кристалів CdS без попереднього збудження поверхні за умов їх охолодження від кімнатної температури до температури залежності поверхневої провідності. Інтенсивність потоку електронної емісії з Cd-грані сульфіду кадмію залежить від провідності монокристалів та дії зовнішніх факторів: попереднього вакуумного термічного відпалу, електричного поля, рентгенівського опромінення. Запропоновано механізм перебудови структурних дефектів приповерхневого шару грані (0001) CdS під час охолодження, суть якого полягає у термостильованій (охолодженням) зміні конфігурації принаймні двох структурних дефектів з метастабільних у стабільні положення з вивільнення певної кількості додаткових вільних електронів, які під дією пірополя емітують у вакуум. Установлено межові дози опромінення, які дозволяють покращити та стабілізувати параметри приладів на базі бар'єрів Шотткі метал - CdS, зокрема, 0,2 Кл/кг для низько- та 0,4 Кл/кг для високоомних кристалів.

182. Вплив ізовалентної домішки свинцю на термічне та радіаційне дефектоутворення в кремнії

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.07 В.В. Войтович; НАН України. Ін-т фізики. — К., 2005. — 21 с. — укp.

183. Вплив ізовалентної домішки Mg на структурні та оптичні властивості кристалів ZnSe

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.07 О.М. Сльотов; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2005. — 20 с. — укp.

184. Вплив імпульсних електромагнітних полів на елементи інтегральних мікросхем

Автореф. дис... канд. техн. наук05.27.01 Євген Володимирович Григор'єв; Харківський національний ун-т радіоелектроніки. — Х., 2004. — 16 с. рис. — укp.

185. Вплив контактних неоднорідностей на електричні характеристики діодів Ганна

Автореф. дис... канд. техн. наук05.27.01 В.М. Челюбеєв; Нац. техн. ун-т України "Київ. політехн. ін-т". — К., 2002. — 18 с. рис. — укp.

Виявлено двомірну картину межі поділу катодних контактів з напівпровідником та показано, що ступінь її неоднорідності визначає форму вольтамперної характеристики (ВАХ) та пробивну напругу діодів. Розроблено діоди Ганна з кільцевими катодним контактами та методику аналізу відказів.

186. Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.05 П.С. Іванов; Харк. нац. ун-т ім. В.Н.Каразіна. — Х., 2004. — 19 с. рис. — укp.

На підставі аналізу переносу носіїв заряду і генерації фотонів у термінах концентрації удосконалено дифузійно-динамічну модель напівпровідникового лазера (НПЛ) з вертикальним резонатором. Проведено дослідження модуляційного відгуку окремих оптичних мод НПЛ з вертикальним резонатором та оксидним вікном і просторової залежності модуляційного відгуку цього лазера. Показано, що одномодовий НПЛ з вертикальним резонатором забезпечує смугу модуляції на 0,5 ГГц більше, ніж багатомодовий. Відзначено що ділянка з найбільшою шириною смуги модуляції знаходиться в центрі вихідного дзеркала НПЛ. Проаналізовано методи керування модовим складом випромінювання НПЛ. На підставі дослідження дисперсійних залежностей оптичного поля у двовимірному фотонному кристалі (ФК) встановлено, що за умови відношення діаметра отворів до відстані між ними, меншому ніж 0,7 обмеження випромінювання в просторовому дефекті ФК здійснюється завдяки існуванню забороненої зони для енергій фотонів у ФК, в інших випадках - обумовлюється повним внутрішнім відбиттям оптичного поля від меж розподілу середовище - напівпровідник - повітря у ФК. На основі розрахунку нормованих BV-діаграм, проаналізовано модові характеристики хвилеводного каналу НПЛ з вертикальним резонатором, створеного просторовим дефектом у двовимірному ФК. Показано, що такий дефект забезпечує одномодовий режим в достатньо широкому інтервалі довжин хвиль. Визначено геометричні параметри ФК, за яких спостерігається одномодовий режим у лазерному резонаторі з дефектною ділянкою у ФК, утвореною пропуском одного отвору під час виготовлення ФК. Зроблено порівняльний теоретичний аналіз двох типів хвилеводних каналів НПЛ з вертикальним резонатором, що утворені пропуском одного або декількох отворів під час виготовлення ФК. Встановлено, що в хвилеводному каналі першого типу одномодові умови можуть утворюватись за більших розмірів отворів у порівнянні з хвилеводними каналами другого типу.

187. Вплив нелінійних ефектів підсилення на параметри малосигнального режиму генерації напівпровідникових лазерів

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.05 Володимир Валерійович Лисак; Харківський національний ун-т ім. В.Н.Каразіна. — Х., 2000. — 20 с. — укp.

188. Вплив опромінення на компоненти радіоелектронної апаратури і розробка методів підвищення їх радіаційної стійкості

Автореф. дис... канд. техн. наук05.27.06 М.Й. Коваленко; Харк. держ. техн. ун-т радіоелектрон. — Х., 1999. — 18 с. — укp.

Дисертація присвячена розробці технологічних методів та технології для виробництва інтегральних схем з підвищеною радіаційною стійкістю, на основі вивчення електрофізичних процесів, які мають місце в цих схемах при опроміненні. Запропоновані методики, основані на термоелектротренуванні, зміні схемотехнічних рішень, а також на використанні еліонних технологій. Одержані результати знайшли впровадження при виконанні науково-дослідних робіт по формуванню профілів розподілу атомів віддачі в шаруватих структурах, розроблена також технологія виготовлення діафрагм субмікронних розмірів.

189. Вплив первинних параметрів мережі на якість надання телекомунікаційних послуг

автореф. дис... канд. техн. наук05.12.02 Р.А. Бурачок; Одес. нац. акад. зв'язку ім. О.С.Попова. — О., 2008. — 20 с. — укp.

Досліджено мультисервісні телекомунікаційні мережі. Розглянуто методи визначення та підвищення показника якості надання послуг абонентам мережі. Проаналізовано існуючі та запропоновано новий метод впливу первинних параметрів мережі на якість надання телекомунікаційних послуг. Як первинні параметри запропоновано використовувати структурну надійність, семантичну та часову прозорість мережі. Запропоновано модель, яка дозволяє визначити об'єктивне значення показника якості надання послуг за окремими параметрами й інтегроване за всіма видами додатків. З використанням даної моделі одержано залежності об'єктивного значення оцінки якості послуг від структурної надійності, імовірності виникнення помилок, якості синхронізації, часу затримки, джиттера, навантаження й ефективності використання ресурсів мережі. Досліджено показник якості послуг залежно від характеру зміни у часі первинних параметрів мережі, величини та виду вхідного навантаження, методу маршрутизації та алгоритму облуговування черг. Проаналізовано показник якості послуг з використанням імітаційної моделі та підставі збору й обробки статистичних даних роботи мережі та її компонентів. Згідно з запропонованим методом похибка визначення показника якості послуг становить 7 % і значною мірою залежить від структурної надійності та часових характеристик за 80 %-го навантаження мережі. Розроблений метод дозволяє одержати об'єктивне значення показника якості послуг на діючих мультисервісних телекомунікаційних мережах стосовно додатків, що надаються абонентам, введення нових видів сервісу нетипового формату та структури передавання, а також у разі зміни значень первинних параметрів.

190. Вплив поздовжньо-хвильових явищ на інформаційну щільність стрічкових носіїв

автореф. дис... канд. техн. наук05.02.09 М.Г. Яковенко; Нац. ун-т "Львів. політехніка". — Л., 2007. — 18 с. — укp.

Обгрунтовано шляхи підвищення інформаційної щільності стрічкових носіїв з одночасним забезпеченням високої якості та надійності систем реєстрації. Розроблено математичну модель для рухомих континуальних систем, яка характеризує динамічні явища в околі точки реєстрації. Одержано математичні залежності динамічної похибки від параметрів системи. Створено методику розрахунку вільних і нестаціонарних вимушених коливань стрічкових носіїв з застосуванням інтегральних рівнянь Вольтера другого роду. Розроблено програмне забезпечення для розрахунку частотних характеристик стаціонарних і нестаціонарних коливань стрічки. Розроблено математичні моделі і проведено аналіз динамічних процесів залежно від кінематичних і фізико-механічних параметрів системи. Визначено вплив швидкості руху носія та процесу формування прямих і зворотних хвиль у контактних зонах на коливання у пружній системі. Експериментально виявлено та вивчено особливості поширення пружних поздовжніх хвиль у спеціальних носіях інформації. Досліджено вплив статичних і динамічних параметрів носія на його коливання. Розроблено методику кількісної оцінки інформаційної щільності та практичні рекомендації щодо її підвищення, які грунтуються на визначенні механічних частотних характеристик системи та частотно-контрастних характеристик матеріалу носія.

191. Вплив похибок заокруглення на стійкість двовимірних цифрових фільтрів

Автореф. дис... канд. техн. наук05.12.13 І.В. Азаров; Нац. ун-т "Львів. політехніка". — Львів, 2001. — 18 с. рис. — укp.

Досліджено стійкість лінійних двовимірних цифрових фільтрів і двовимірних фільтрів з операцією заокруглення в арифметиці з фіксованою комою. Запропоновано алгоритм отримання в аналітичному вигляді імпульсних характеристик. Розроблено алгоритм знаходження області стійкості у просторі коефіцієнтів фільтра для систем з заокругленням до найближчого цілого та за його допомогою отримано область стійкості для певного класу фільтрів. Поширено другий метод Ляпунова про стійкість двовимірних фільтрів на клас кусково-нелінійних функцій, за допомогою якої отримано умови стійкості систем з заокругленням шляхом відкидання дробової частини. Числовим методом досліджено та класифіковано режими нестійкості для вимірних систем з заокругленнями, знайдено аналітичні умови їх виникнення. Розглянуто вплив операцій заокруглення у ході реалізації алгоритмів числового дослідження стійкості на правильність роботи цих алгоритмів. Надано рекомендації щодо вибору кількості розрядів для реалізації цих алгоритмів.

192. Вплив розмірних ефектів та технологічних факторів на кінетичні властивості плівок телуриду свинцю

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.18 М.В. Калинюк; Прикарп. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2000. — 19 с. — укp.

193. Вплив розсіяного в оптичній системі випромінювання на якість зображення

Автореф. дис... канд. техн. наук05.11.07 Сергій Валентинович Колобродов; Національний технічний ун-т України "Київський політехнічний ін-т". — К., 2000. — 16 с. — укp.

194. Вплив структури базової області і контактів на характеристики інжекційних фотодіодів

Автореф. дис... канд. техн. наук05.12.20 Р.Г. Сидорець; Одес. нац. акад. зв'язку ім. О.С.Попова. — О., 2004. — 20 с. — укp.

Розглянуто питання удосконалення характеристик оптоелектронних елементів прийому та реєстрації випромінювання на базі запропонованих науково-технічних рішень, розроблено нові типи інжекційних фотодіодів (ІФД). Удосконалено метод підвищення фоточутливості діодів шляхом реалізації внутрішнього інжекційного підсилення. Розроблено критерії оцінки фотоелектричного інжекційного підсилення в області "домішкового" та "власного" поглинання випромінювання. Одержано аналітичні вирази для розрахунку характеристик на основі неоднорідно-легованих та варизонних напівпровідників. З'ясовано, що використання базових матеріалів з неоднорідною структурою сприяє значному підвищенню фоточутливості ІФД. Досліджено умови та механізми реалізації фотоелектричного інжекційного підсилення у поверхнево-бар'єрних структурах (ПБС) за досягнення досить високого рівня інжекції з контакту метал-напівпровідник. Одержано та досліджено інжекційні фотодіоди на основі Ni-Si:Au-ПБС.

195. Вплив структури контактів на характеристики приладів НВЧ та пристроїв на їхній основі

автореф. дис... канд. техн. наук05.12.13 Я.А. Кременецька; Держ. ун-т інформ.-комунікац. технологій. — К., 2008. — 20 с. — укp.

Досліджено характеристики пристроїв НВЧ залежно від структури контактів діодних активних елементів і встановлено вимоги до них, що підвищують робочу частоту. Методом моделювання структури контактів обгрунтовано можливості підвищення ефективності НВЧ приладів, генерації електромагнітних коливань у діапазоні 100 - 1 000 ГГц й обгрунтовано шляхи створення нових типів НВЧ пристроїв. Запропоновано апроксимації імпедансних характеристик ДГ і ЛПД, в яких враховано розходження у виборі структури кристала та режиму роботи для генераторних і підсилювальних діодів, а також необхідність зміни структури кристалів у разі збільшення частоти. Розроблено схему синтезатора-генератора сітки частот на базі кварцового генератора та двох генераторів Ганна: опорного високостабілізованого та широкосмугового, що перестроюється керуючим сигналом.

196. Вплив теплових процесів на стабільність частоти коливань у багаторезонаторних магнетронних автогенераторах

автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.01 К.М. Басраві; Харк. нац. ун-т радіоелектрон. — Х., 2007. — 19 с. — укp.

Теоретично й експериментально досліджено частотні властивості магнетронних автогенераторів. Вивчено загальні фізичні процеси в даних автогенераторах з урахуванням впливу теплових процесів на катоді. Розроблено двовимірну математичну модель магнетрона з урахуванням впливу процесів тепловиділення та теплообміну між катодом і анодом, аналітичну математичну модель теплових процесів, що мають місце на катоді магнетронного автогенератора. Запропоновано метод експериментального визначення "холодних" електродинамічних параметрів анодних блоків магнетронів. Проведено теоретичний аналіз фізичного механізму фазового угруповання електронного потоку в магнетронних автогенераторах з урахуванням впливу на фазування потоку складових поля ПЗ і компонент синхронного високочастотного поля (за динамічного режиму). Розглянуто особливості протікання конвекційного струму від катода магнетронів до анода на підставі траєкторного аналізу руху електронів за наявності різних видів емісії (термоелектронної та вторинної). Проведено теоретичні й експериментальні дослідження з метою вивчення впливу температури оксидного катоду непрямого розжарення на стабільність частоти магнетрона. Показано, що одним з частотних чинників нестабільності частоти у магнетронах є флуктуації струму термоелектронної емісії, зумовлені додатковим розігріванням анода вторинною електронною емісією. Показано добру відповідність результатів математичного моделювання та натурного експерименту.

197. Вплив термовідпалу на дислокаційно-домішкову структуру кристалів

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.07 П.О. Теселько; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2006. — 19 с. — укp.

Вивчено вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури та розсіяння рентгенівських променів. Описано явище анізотропії полів напруг у монокристалах кремнію з упорядкованою дислокаційною структурою та процес низькотемпературної повзучості кристалів CdHgTe у разі локального навантаження. Розглянуто процеси динаміки руху дислокацій під дією механічного навантаження в кристалах кремнію як вихідних, так і з твердофазними металевими покриттями. Показано, що виникнення та ріст преципітатів під час термомеханічної обробки кристалів призводять до немонотонного характеру руху дислокацій. Дослідження методом трикристальної рентгенівської дифрактометрії (ТКД) показали анізотропію розсіяння рентгенівських променів упорядкованими дислокаційними структурами. Встановлено, що за кімнатної температури в кремнії відбувається релаксація механічних напруг у порушеному шарі. Обгрунтовано суттєве прискорення процесу розпаду твердого розчину кисню в кристалах Cz - Si за дії механічних напружень, створених введеними в кристал дислокаціями або рядом уколів мікроіндентора. Показано можливість використання у виробництві методів ТКД для діагностики якості матеріалів напівпровідникової промисловості.

198. Вплив технології вирощування на мікромеханічні властивості епітаксійних структур на основі GaAs

Автореф. дис... канд. техн. наук05.27.06 С.Р. Сєліверстова; Херсон. держ. техн. ун-т. — Херсон, 2000. — 17 с. — укp.

Наведено результати комплексних досліджень взаємного впливу мікромеханічних властивостей, морфології та структурної досконалості гомо- і гетероепітаксійних структур на основі арсеніда галію, вивчено умови їх отримання. Показано, що технологічні умови вирощування - температура процесу вирощування, орієнтація та структурна досконалість матеріалу підкладки, склад розчину під час рідкофазної епітаксії, тип і концентрація домішки мають вплив на мікромеханічні властивості отриманих структур. Вперше досліджено підкладки GaAs, леговані Si, які не мали дислокацій. Показано, що мікротвердість чутлива до ступеня компенсації носіїв заряду. Розроблено нову методику спостереження переміщення дислокацій у полі механічних напруг. За допомогою даної методики досліджено мікромеханічні властивості та напружений стан гетероструктур за наявністю сітки дислокацій невідповідності на гетеромежі (на прикладі Ge - GaAs), що виникає внаслідок розходжень параметрів кристалічних граток підкладки і шару, та показано, що розвиток деформації у гетероструктурі Ge - GaAs змінює свій напрямок після досягнення гетеромежі.

199. Вплив характеристик розплаву на умови кристалізації та властивості вирощуваних кристалів кремнію

Автореф. дис... канд. техн. наук05.16.03 С.Г. Єгоров; Запоріз. держ. інж. акад. — Запоріжжя, 2006. — 22 с. — укp.

Встановлено закономірності впливу властивостей і характеристик розплаву на кристалізацію монокристалів і розподіл домішок. Проаналізовано вплив електромагнітного поля плавильного індуктора на процеси, які протікають у розплаві. Описано переважні механізми перемішування розплаву в рідкій зоні в процесі вирощування монокристалів кремнію методом безтигельної зонної плавки.

200. Вплив gamma-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром Шотткі

Автореф. дис... канд. техн. наук05.27.06 О.Є. Ренгевич; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2001. — 19 с. рис. — укp.

Дослідження впливу НВЧ випромінювання на параметри ПТШ показали, що зміна характеристик настає навіть за незначних термінів обробки. Внаслідок впливу НВЧ випромінювання збільшується висота бар'єра, а фактор ідеальності зменшується. Експериментально доведено, що, аналогічно випадку gamma-опромінювання, існує діапазон термінів обробки, у якому можливе поліпшення параметрів ПТШ.