LibRar.Org.Ua — Бібліотека українських авторефератів

Загрузка...

Головна → Фізика. Астрономія

Всього — 1352 Сторінка 12 із 68

221. Дефекти структури оксидних кристалічних матеріалів зі спеціальними електро-фізичними властивостями

Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук01.04.07 В.В. Лагута; НАН України. Ін-т пробл. матеріалознавства ім. І.М.Францевича. — К., 2005. — 34 с. — укp.

Розглянуто проблему встановлення природи, локальної структури і загальних закономірностей утворення різних дефектних станів у кристалічних оксидних матеріалах зі структурою шеєліта та перовськіта, а також їх впливу на характерні властивості даних матеріалів.

222. Дефектна структура, фазові переходи і фізичні властивості перовськітів

Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук01.04.07 О.Г. Петренко; Чернів. держ. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2000. — 36 с. — укp.

223. Дефектна структура, явища переносу, люмінесценція і радіаційні властивості нестехіометричних гетеросистем alpha - SiO2-x [Oi, (O2)i ] I ZnxCd1-xS [ Os ]

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 О.М. Сунцов; Запоріз. держ. ун-т. — Запоріжжя, 2004. — 18 с. — укp.

224. Дефектно-домішкова взаємодія в кремнії, легованому ізовалентними домішками

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.07 О.О. Кобзар; НАН України. Ін-т фізики. — К., 2006. — 19 с. — укp.

Вивчено процеси дефектно-домішкової взаємодії, які відбуваються у кремнії, легованому оловом та вуглецем, за дії іонізувального опромінення та подальших термообробок. Установлено, що домішкові атоми Sn в опроміненому кремнії за відпалу ефективно взаємодіють з міжвузловинним вуглецем з утворенням центрів "міжвузловинний вуглець

225. Дефектоперетворення в твердих розчинах CdHgTe, стимульоване ультразвуком допорогової інтенсивності

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.07 Р.К. Савкіна; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 2001. — 19 с. — укp.

Встановлено, що під впливом ультразвук відбувається вивільнення зв'язаних у дисликаційні атмосфери дефектів, що призводить до зміни електрофізичних праметрів цього матеріалу. Встановлено критичну величину густини дислокацій, перевищення якої в областях підвищеної дефектності призводить до макроскопічного розігріву останніх і неоднорідного нагрівання реальних кристалів. Показано, що цей ефект може бути базовим для методики неруйнівного контролю ступеня структурної досконалості даного матеріалу. зростання холлівської рухливості під впливом ультразвуку в області низьких темперератур (<$ET~< K) характерне виключно для неоднорідних, структурно недосконалих кристалів CdxHg1 - xTe, є наслідком збільшення ефективного об'єму кристалу на рівні протікання за рахунок акустостимульованого згладження макроскопічного внутрішньокристалічного потенціалу.

226. Дефектоутворення в монокристалах CdS і CdS:Cu при опроміненні частинками підпорогової енергії

автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 Г.Л. Мирончук; Волин. нац. ун-т ім. Л.Українки. — Луцьк, 2008. — 20 с. — укp.

Встановлено, що основним механізмом підпорогового дефектоутворення є домішково-іонізаційний механізм, ефективність якого збільшується в область напружених і спотворених міжатомних зв'язків поблизу значних структурних пошкоджень кристалічної гратки напівпровідника. Виявлено, що швидкість утворення дефектів зростає у легованих Cu зразках. Досліджено лазерний відпал центів рекомбінації в електронно- та нейтронно-опромінених CdS і CdS:Сu-монокристалах.

227. Дефектоутворення в низьковимірних металоксидних системах в умовах зовнішніх збурень

Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук01.04.07 Б.М. Горєлов; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2005. — 37 с. — укp.

а за кГр подавляє перенос іонних дефектів. Доведено, що матричні системи з включеннями сполук з кристалізаційною водою є поглиначами електромагнітного випромінювання за температури .

228. Дефектоутворення і електронні властивості матеріалів на основі заліза та кремнію, опромінених лазером в режимі генерації ударних хвиль

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.07 Б.П. Ковалюк; НАН України. Ін-т металофізики ім. Г.В.Курдюмова. — К., 2007. — 17 с. — укp.

Досліджено вплив лазерних ударних хвиль (ЛУХ) на зміну електронних властивостей і дефектоутворення у матеріалах з різними пластичними властивостями. За методом електронно-позитронної анігіляції доведено, що глибина впливу лазерних ударних хвиль на три порядки перевищує глибину області термічного впливу наносекундного лазерного імпульсу. Зворотній () мартенситний перехід, який відбувається за ЛУХ обробки сталі Х18Н10Т-ВД є результатом дії двох конкуруючих факторів - великих стискальних напружень (2ГПа) і низького ступеня (0,01) пластичної деформації, а підвищення корозійної стійкості - селективним розсіянням ЛУХ на межах зерен і переважно стискального характеру виникаючих напружень. Показано, що за лазерної ударної обробки можна впливати на електронні властивості приповерхневих шарів твердих тіл не тільки шляхом зміни енергетичних параметрів лазерного імпульсу, але і оптимізацією температурних умов опромінення, що впливають на фононну складову надлишкової сили, яка діє на центри розсіяння, зумовленої лазерною ударною хвилею, а основним механізмом затухання ЛУХ є зародження та міграція дефектів.

229. Дефектоутворення у приповерхневих шарах монокристалів GaAs під впливом низькорівневого просторово-модульованого лазерного опромінення

автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.07 Д.С. Москаль; Харк. нац. ун-т ім. В.Н. Каразіна. — Х., 2008. — 19 с. — укp.

Установлено фізичні закономірності утворення дефектів у приповерхневих шарах монокристалів GaAs під дією імпульсного лазерного опромінення з низьким рівнем інтенсивності. Досліджено вплив лазерного опромінення на активацію процесів дефектоутворення у кристалі за гауссового або дифракційно-модульованого розподілу інтенсивності. З використанням числових методів визначено розподіл інтенсивності лазерного опомінення, полів температур, деформацій і термонапружень у приповерхневих шарах опромінених монокристалів GaAs. Проведено експерименти з використанням лазерних імпульсів мілісекундної тривалості з гауссовим розподілом інтенсивності та встановлено порогові значення густини енергії, за яких активуються різні механізми модифікації поверхні: плавлення, дислокаційної пластичності, утворення точкових дефектів. Опромінено монокристали GaAs лазерними імпульсами мілі- та наносекундної тривалості з густиною енергії, меншою від порогу пластичності та з дифракційно-модульованою інтенсивністю. За методами оптичної, електронної та атомно-силової мікроскопії доведено можливість створення періодичних дефектних структур у вигляді атомних кластерів за допомогою дифракційно-модульованого імпульсного лазерного опромінення низького рівня. Позиціювання таких структур задається законом просторової модуляції інтенсивності лазерного опромінення та таким чином розв'язується задача їх адресного та періодичного розподілу. Результати дослідження дають змогу розвинути новий підхід до створення напівпровідникових приладів, який грунтується на використанні особливих властивостей кластерних структур.

230. Деформаційні залежності повних інтегральних інтенсивностей в дифрактометрії мікродефектів монокристалів

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.07 І.І. Рудницька; НАН України. Ін-т металофізики ім. Г.В.Курдюмова. — К., 2005. — 20 с. — укp.

Проведено експериментальну апробацію існуючої теоретичної моделі деформаційної залежності повної інтегральної відбивної здатності (ПІВЗ) у монокристалах з випадково розподіленими дефектами (ВРД), що враховує вплив ефектів екстинкції через розсіяння на ВРД на деформаційну залежність когерентної складової ПІВЗ та враховує залежність від пружної деформації (ПД) дифузної складової й обумовлених нею факторів екстинкції. Показано, що ця модель не дає змогу одержати адекватний кількісний опис сумісного впливу ПД і ВРД на ПІВЗ, але пояснює спостережені аномальні ефекти можливих залежно від величини ефектів екстинкції адитивного (для малих величин) і неадитивного (для великих) впливів ВРД та ПД на ПІВЗ. Запропоновано нову модель деформаційної залежності ПІВЗ у кристалах з ВРД, що враховує вплив деформації на дифузну складову ПІВЗ та обумовлені дифузним розсіянням ефекти екстинкції, з використанням якої здійснено адекватний опис відповідних експериментальних даних і встановлено залежність від ПД дифузної складової ПІВЗ, а також факторів екстинкції, обумовленої розсіянням на дефектах. Феноменологічно розділено внески пружного вигину та ВРД до ПІВЗ шляхом факторизації всіх параметрів запропонованої моделі на множники, що залежать тільки від ВРД, та множники, що залежать від ПД. Це дало змогу створити унікальний метод кількісної діагностики характеристик ВРД, базуючись на вивченні деформаційних залежностей ПІВЗ.

231. Деформаційні зміни кристалічної гратки і енергетичного спектру електронної підсистеми антимоніду індію при подвійному легуванні

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 Л.М. Кнорозок; Київ. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 1999. — 17 с. — укp.

232. Дидактичні основи використання еталонних вимірників якості знань у навчанні фізики старшокласників

Автореф. дис... канд. пед. наук13.00.02 О.М. Семерня; Нац. пед. ун-т ім. М.П.Драгоманова. — К., 2007. — 20 с. — укp.

Теоретично й експериментально обгрунтовано нову дидактичну систему формування творчих здібностей та стимулювання пізнавальної активності старшокласників на базі теорії управління навчанням фізики, яка відповідає стану розвитку педагогічних технологій за умов становлення інноваційної парадигми освіти. Проаналізовано становлення та розвиток фізичної освіти у контексті цілеспрямованості, та прогнозованості навчання; створити інноваційні методичні моделі управління навчання фізики старшокласників на рівнях активізації пізнання та розвитку творчих здібностей; розробити спеціальну навчальну програму дисципліни "Вибрані питання шкільного курсу фізики" на базі еталонних вимірників якості знань. Здійснено розвиток теорії управління навчання фізики у напрямі об'єктивізації поточного контролю засобами завдань еталонного характеру. Удосконалено технології використання особистісних цілеорієнтацій на різних етапах і за різних типів уроків фізики з метою забезпечення дієвості навчання.

233. Динаміка гаусових хвильових пакетів

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.02 О.М. Сичова; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2001. — 17 с. — укp.

На базі моделі антисиметризованої молекулярної динаміки (АМД) досліджено особливості класичного руху хвильових пакетів нуклонів у полі ядерних сил. Встановлено зв'язок квантових функцій розподілу імовірності Фока - Баргманна з класичними фазовими траєкторіями центрів хвильових пакетів. Розкрито поняття статистичного інтегралу перекриття пробної функції, побудованої в АМД, як матриці густини ймовірності у цьому просторі. У рамках АМД запропоновано механізми для розпливання хвильових пакетів кластерів, розроблено метод оцінки імовірності повного розвалення кластера на нуклони.

234. Динаміка гратки і структурні фазові переходи в гіпо(селено)-дифосфатах з шаруватою кристалічною структурою

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 В.В. Митровцій; Ужгород. нац. ун-т. — Ужгород, 2000. — 20 с. — укp.

235. Динаміка гратки та фазові переходи в складних фосфоровмісних халькогенідах

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 Р.М. Євич; Ужгород. нац. ун-т. — Ужгород, 2006. — 19 с. — укp.

236. Динаміка заселеності нестаціонарних станів в напівпровідниках

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 Л.С. Демків; Львів. нац. ун-т ім. І.Франка. — Львів, 2001. — 18 с. — укp.

Досліджено динаміку заселеностей енергетичних рівнів у напівпровідниках під дією електромагнітного випромінювання та низькочастотного збурення, яке змінює положення енергетичних рівнів за гармонічним законом з різною амплітудою модуляції. У адіабатичному наближенні з нестаціонарного рівняння Шредінгера отримано аналітичні вирази для динаміки заселеностей рівнів дво- та трирівневих квантових систем. Досліджено спектральний розподіл низькочастотного відгуку заселеностей рівнів на частотах, рівних або кратних частоті модулюючого низькочастотного збурення. За допомогою кінетичних рівнянь проаналізовано вплив часу життя рівнів і механізму релаксації на динаміку заселеності рівнів. Показано, що отриманий аналітичний вираз для амплітудної обвідної динаміки заселеності рівнів можна використовувати для розрахунку модуляційних (диференційних) спектрів поглинання. Розраховано та проаналізовано особливості модуляційних спектрів у ході реалізації переходів рівень - зона, зона - зона та біля критичних точок. Запропонований спосіб розрахунку модуляційних спектрів використано для розрахунку спектрів п'єзофотопровідності субселеніду індію.

237. Динаміка квазічастинкових підсистем з різними енергетичними спектрами в ізотропних і анізотропних конденсованих середовищах

автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук01.04.09 Р.В. Вовк; НАН України. Фіз.-техн. ін-т низ. температур ім. Б.І.Вєркіна. — Х., 2008. — 33 с. — укp.

Наведено результати експериментального дослідження еволюції підсистем квазічасткових збуджень різноманітного спектра в ізотропних та анізотропних конденсованих середовищах різної морфології. Встановлено закономірності часової та просторової еволюції анізотропних фононних пучків у надплинному гелії. Визначено закономірності впливу дефектного ансамблю різної морфології, структурної анізотропії, легування домішками та високого гідростатичного тиску на флуктуаційне формування підсистем нескорельованих заряджених бозонів, а також реалізацію різних низькотемпературних фазових переходів у високотемпературних надпровідних монокристалах системи 1 - 2 - 3.

238. Динаміка кристалічних граток та симетрія енергетичних станів в неметалічних кристалах, що містять пірамідальні структурні елементи XY3

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.05 А.П. Науменко; Київ. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 1999. — 19 с. — укp.

239. Динаміка низькоенергетичних збуджень в шаруватих ян-теллерівських кристалах

Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук01.04.09 В.І. Кутько; НАН України. Фіз.-техн. ін-т низ. температур ім. Б.І.Вєркіна. — Х., 2002. — 31 с. — укp.

Описано результати експериментальних досліджень динаміки низькоенергетичних збуджень подвійних лужно-рідкісноземельних молібдатів за низьких температур. Встановлено особливості механізмів формування низькочастотних фононних збуджень, зумовлені шаруватою структурою цих матеріалів. Показано, що структура низькочастотного фононного спектра за певних обставин може досить точно описуватись одновимірною моделлю. Виявлено, що у формуванні низькоенергетичних електронних збуджень рідкісноземельних іонів визначальну роль відіграє їх динамічний зв'язок з акустичними або оптико-акустичними коливальними гілками. Вивчено механізми формувань низькоенергетичних станів змішаних кристалів, у яких ян-теллерівські центри (рідкісноземельні іони) розбавлені діамагнітними іонами. Визначено, що розбавлені шаруваті ян-теллерівські кристали мають складні фазові діаграми, зумовлені різною електрон-фононною взаємодією. Експериментально вивчено особливості динамічної електрон-фононної взаємодії низькочастотних збуджень у зовнішньому магнітному полі. Виявлено, що зовнішнє магнітне поле може індукувати ян-теллерівське впорядкування в цих матеріалах. Досліджено нелінійну динаміку низькоенергетичних збуджень у сильно нерівноважному стані. Визначено послідовність нерівноважних фазових переходів під дією НВЧ накачки. Запропоновано механізм переходу до детермінованого хаосу, що спостерігався за певних високих рівнів потужності мікрохвильового поля.

240. Динаміка спінових систем та мікрохвильове поглинання в напівпровідниках та низькоомних твердих розчинах

Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук01.04.10 А.А. Кончиць; Ін-т фізики напівпровідників НАН України. — К., 2002. — 31 с. — укp.

Досліджено природу та механізм спін-залежних процесів носій-домішкових взаємодій та виявлено новий фізичний ефект - індуковану процесами захоплення носіїв спінову орієнтацію локальних центрів у напівпровідниках. У кремнії з протяжними дефектами виявлено новий тип сигналів резонансного мікрохвильового поглинання в електричній компоненті НВЧ поля - електродипольний спіновий резонанс, пов'язаний з особливостями руху електронів у низьковимірних структурах. Вперше описано природу сигналів мікрохвильового відгуку систем під час переходу до стану надпровідності, зокрема, дислокаційно-індуковану (надгратки PbTe - PbS). Вивчено вплив взаємодії спін-систем вільних та локалізованих електронів за умов виродження електронного спектру на магнітні та магніто-механічні властивості 3d твердих розчинів.