LibRar.Org.Ua — Бібліотека українських авторефератів

Загрузка...

Головна → Фізика. Астрономія

Всього — 1352 Сторінка 7 із 68

121. Вплив двох зовнішніх шумів на статистичну поведінку сильно загасаючих систем

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.02 А.М. Вітренко; НАН України. Ін-т приклад. фізики. — Суми, 2007. — 19 с. — укp.

Розглянуто протяжні механічні системи малих масштабів, затиснуті з обох боків нанобалки, полімерні ланцюжки, досліджено пружні поперечні зміщення їх центрів мас (фрагментів) на основі зовнішніх та внутрішніх флуктуацій у в'язкому середовищі. Описано метод рівнянь Ланжевена з однією динамічною змінною. Проаналізовано особливості наближення взаємно корельованих гаусівських білих шумів. Визначено конструктивну роль взаємної кореляції в явищі одномодального-бімодального переходу за умов значних зміщень. Висвітлено процес малих зміщень в неоднорідному середовищі, викликаний флуктуаціями жорсткості, який проявляє дифузійну поведінку. Доведено, що зміна інтенсивності флуктуацій призводить до зміни характеру аномальної дифузії. Викладено модель із залежними кольоровими шумами для малих зміщень, визначено нестаціонарні щільність імовірності та моменти для динамічної змінної. Відзначено область застосування знайдених статистичних характеристик для незалежних шумів.

122. Вплив дефектної підсистеми на фотоелектричні властивості кремнію

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 Максим Валерійович Возний; Чернівецький держ. ун-т ім. Юрія Федьковича. — Чернівці, 2000. — 20 с. — укp.

123. Вплив деформації на електронні та діркові стани в напружених квантових точках InAs/GaAs

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 О.О. Даньків; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2007. — 20 с. — укp.

Теоретично досліджено перебудову локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних і циліндричних квантових точках InAs/GaAs різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації матеріалу квантової точки й оточуючої матриці та зовнішнього тиску. Удосконалено метод розрахунку баричного коефіцієнта в квантово-розмірних нульвимірних напіпровідникових структурах. Досліджено вплив пружної взаємодії між квантовими точками, лапласівського тиску на межі квантова точка - матриця, температури росту та домішки в квантовій точці InAs на енергію основного оптичного переходу. Вперше теоретично встановлено залежності ефективних мас електрона та дірки від латерального розміру напруженої циліндричної квантової точки у площині росту та напрямі перпендикулярному до неї.

124. Вплив діамагнітного заміщення у феримагнітних плівках на їх магнітні властивості

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.18 С.О. Юр'єв; Прикарп. ун-т ім. В.Стефаника. — Івано-Франківськ, 2001. — 20 с. — укp.

Встановлено вплив діамагнітних заміщень та умов вирощування на магнітні властивості та структуру епітаксійних плівок залізо-ітрієвого гранату (ЗІГ). Відзначено, що регульована зміна складу та умов росту створила можливість вирощування епітаксійних багатошарових структур на основі ЗІГ з відмінними магнітними властивостями у шарах. Установлено й обгрунтовано відмінності у структурно-фазовому стані та магнітній структурі, виявлені в поверхневих шарах конструкційних матеріалів на основі заліза, обумовлені характером їх термічної обробки. Досліджено вплив діамагнітних заміщень в октаедричній підрешітці на магнітні властивості та надтонкі взаємодії у феритах зі структурами гранату та шпінелі. Виявлено зв'язок параметрів надтонких взаємодій зі структурними особливостями нових інтерметалічних сполук (боридів, фосфідів) та газу Гейслера. Удосконалено методику ядерної гамма-резонансної спектроскопії.

125. Вплив домішки ванадію на дефектоутворення в телуриді кадмію

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.07 Л.А. Міщенко; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. — К., 1998. — 16 с. — укp.

Дисертацію присвячено вивченню дефектів ванадію у телуриді кадмію. Визначена конфігурація, енергія іонізації дефектів ванадію та їх вплив на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe. Досліджено концентраційний вплив ванадію у розплаві на властивості CdTe. Встановлено існування критичної концентрації ванадію у розплаві CdTe, при якій починається утворення комплексних дефектів з участю ванадію. Досліджено вплив різних обробок, таких як термічна та ультразвукова, на електричні та фотоелектричні властивості кристалів CdTe:V. Показано, що значний вклад у формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів після ультразвукової обробки вносить тонкий приповерхневий шар, збагачений електронами.

126. Вплив домішки олова на фізичні властивості широкозонних II - VI сполук

автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 В.І. Гривул; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2008. — 20 с. — укp.

Комплексно досліджено вплив амфотерної домішки олова на фізичні властивості широкозонних II - VI сполук - перспективних матеріалів функціональної електроніки.

127. Вплив домішок зі змінною валентністю на фізичні властивості твердих розчинів на основі телуридів свинцю, олова та германію

автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 В.Є. Слинько; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2007. — 20 с. — укp.

Проведено експериментальні дослідження впливу домішок зі змінною валентністю (Ga, Mn, Cr, Yb, Eu, Er) на фізичні властивості твердих розчинів на основі PbTe, SnTe і GeTe, які є перспективними матеріалами для застосування в оптоелектоніці та спіновій електроніці. Установлено експоненціальний характер розподілу домішок (висхідний і низхідний) та його зв'язок з атомною вагою компонентів твердих розчинів. Запропоновано моделі перебудови енергетичного спектра носіїв заряду під дією тиску в n-PbGeTe:Ga та за зміни тиску та складу матриці - в nPbSnTe:Ga. Виявлено унікальне фізичне явище, а саме: гігантський від'ємний магнітоопір (падіння опору майже на три порядки) в p-PbMnYbTe та від'ємний магнітоопір з амплітудою ~30 % величини - в nPbMnYbTe та від'ємний магнітоопір з амплітудою ~30 % величини - в nPbMnCrTe. Досліджено аномальний ефект Холла в p-SnMnEuTe і p-SnMnErTe.

128. Вплив електричного поля на процеси зарядостворення, конвекції та теплопереносу в слабкопровідних рідинах

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.02.05 А.А. Тропіна; Харк. держ. ун-т. — Х., 1999. — 17 с. — укp.

Містяться результати теоретичних досліджень електрогідродинамічної конвекції та теплопереносу в неоднорідних полях на основі удосконаленої теорії процесів електризації та зарядостворення в діелектричних рідинах. Одержала подальший розвиток теорія дисоційно-інжекційної провідності рідких діелектриків з урахуванням комплексостворення. Запропоновані конструктивні чисельні методи аналізу системи електрогідродинамічних рівнянь, що дало змогу визначити основні закономірності формування конвекційних течій і теплопереносу в слабкопровідних середовищах. Проведено аналітичне дослідження процесів формування заряду в нерівноважних приелектродних шарах. Одержано нові результати в теорії теплопереносу при інжекційній провідності рідких діелектриків з неавтономним рівнем інжекції.

129. Вплив електричного поля на фізичні властивості в епітаксійних плівках ферит-гранатів

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.07 В.Є. Короновський; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2005. — 20 с. — укp.

Вивчено механізми впливу зовнішнього електричного поля на магнітні характеристики магнетиків, досліджено в плівках ферит-гранатів магнітооптичні явища, індуковані зовнішніми електричними полями в широкому діапазоні змін магнітного поля. Наведено результати досліджень магнітоелектричних ефектів у плівках ферит-гранатів оптичними методами - електромагнітооптичний ефект. Розкрито вплив електричного поля на локальні ділянки плівок з різним просторовим розділенням - сотні мкм. та одиниці мкм. Показано можливість співіснування за відповідних умов лінійного та квадратичного електромагнітооптичних ефектів. Описано механізм зміни магнітної анізотропії в гранатових плівках під дією електричного поля. Висвітлено можливість магнітних фазових переходів у однорідний стан, індукованих зовнішніми електричними полями в присутності магнітного поля.

130. Вплив електрон-деформаційної взаємодії на електронні стани та перерозподіл електронної густини в широкозонних напівпровідниках з дислокаціями

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 М.М. Баран; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2005. — 20 с. рис. — укp.

Розкрито механізм впливу ступеня заповнення зони провідності на електрон-деформаційний потенціал зарядженої крайової дислокації та на енергію дна зони провідності в околі дислокації. Розраховано ізолінії концентрації електронів навколо крайової дислокації та поверхні електронної густини вздовж стінки дислокацій невідповідності за різних ступенів заповнення зони провідності. Для різного ступеня заповнення зазначеної зони одержано аналітичний вираз енергетичного спектра електрона, локалізованого на крайовій дислокації, та розв'язки рівняння для визначення закону дисперсії носіїв дислокаційної зони. Показано, що у напівпровідниках у крайовій незарядженій дислокації відбувається діодний ефект, спричинений локальним просторовим перерозподілом електронів.

131. Вплив електронного опромінення на властивості нанокристалічного кремнію

автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.21 О.М. Астахов; Нац. наук. центр "Харк. фіз.-техн. ін-т". — Х., 2007. — 19 с. — укp.

Досліджено дефекти, утворені внаслідок опромінення 2 МеВ електронним, а також визначено значущість цих дефектів для електронних властивостей нано-, мікрокристалічного й аморфного кремнію. Обірвані зв'язки є основним типом парамагнітних станів у матеріалі в усьому діапазоні щільностей дефектів, якого було досліджено. Показано, що електронне опромінення за температури 100 К призводить до формування нових парамагнітних центрів, що відрізняються від обірваних зв'язків. Параметри та поведінка пари нових ліній у спектрі електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) опроміненого матеріалу добре узгоджуються з параметрами метастабільних Si - H - Si комплексів, що спостережено у кристалічному кремнії раніше. На підставі аналізу ЕПР спектрів зразків нано- та мікрокристалічного кремнію підтверджено гіпотезу про двокомпонентну структуру резонансу від обірваних зв'язків. Показано зворотну залежність фотопровідності від щільності дефектів у аморфному кремнії та відсутність систематичної залежності в нано- та мікрокристалічному матеріалі, що зумовлено визначальною роллю системи кристалітів для електронного транспорту. У нанокристалічних зразках з донорними легуванням зміни щільності дефектів призводять до значних зсувів рівня Фермі.

132. Вплив електронної підсистеми на формування складу поверхні напівпровідникових сполук з різним ступенем іонності

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 В.М. Телега; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2002. — 16 с. — укp.

Створено оригінальну надвисоковакуумну установку, проведено експериментальні дослідження процесів формування складу поверхні кристалів, випаровування компонент кристалів, емісійних властивостей кристалів. Показано, що за умов впливу електронної підсистеми кристалів температури, електричного поля та струму можна керувати процесами формування складу поверхні кристалів. Встановлено, що керуванням процесом випаровування компонент кристалів за умов високого вакууму можна отримувати плівки різного складу. На підставі аналізу результатів дослідження можливостей керування процесами випаровування та формування складу поверхні кристала GaAs за термовакуумної обробки за умов впливу на електронну підсистему шляхом пропускання струму в системі зонд-кристал доведено, що пропускання струму через кристал суттєво змінює швидкість випаровування As, залежно від величини струму, температури зразка та концентрації вільних носіїв заряду. Напрямок ефекту визначається знаком потенціалу (напрямком струму), що прикладається, та типом вільних носіїв заряду. Формування складу поверхні кристалів, за результатами експериментальних досліджень, залежить від їх ступеня іонності.

133. Вплив заміщення на метамагнетизм в UCoAl

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук І.К. Козловська; НАН України. Донец. фіз.-техн. ін-т ім. О.О.Галкіна, Ін-т фізики Акад. наук Чес. Республіки. — Донецьк, 2002. — 20 с. — укp.

Вивчено вплив заміщення на метамагнетизм у UCoAl. На основі проведених вимірів побудовані магнітні фазові діаграми для всіх систем. Виявлено два типи магнітного поводження: поступове пригнічення метамагнетизму і співіснування в деякому інтвервалі феромагнітної та метамагнітної компонент.

134. Вплив зовнішніх змінних магнітних полів на форму месбауерівського спектра м'яких феромагнетиків

Автореф. дис... канд. фіз-мат. наук01.04.02 В.Ю. Співак; НАН України. Ін-т теорет. фізики ім. М.М.Боголюбова. — К., 2000. — 16 с. — укp.

Розвинуто загальну теорію месбауерівського поглинання м'якими феромагнетиками, що перебувають в радіочастотному (РЧ) магнітному полі, з урахуванням східцеподібних реверсій магнітного поля на ядрах та вимушених коливань ядер. Особливу увагу приділено випадку вимушених коливань, когерентних періодичним реверсіям поля. Теорію також розширено на випадок м'якого феромагнетика, що перебуває як в РЧ полі, так і в сталому полі, прикладеному паралельно РЧ полю. Для пояснення таких експериментів наведено модель асиметричних реверсій. Встановлено, що частотний спектр випромінювання складається з рівновіддалених ліній, розділених на подвійну частоту РЧ поля.

135. Вплив зовнішнього магнітного поля на критичну поведінку тривимірного ізингоподібного магнетика

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.02 О.О. Притула; НАН України. Ін-т фізики конденс. систем. — Л., 2006. — 16 с. рис. — укp.

Представлено мікроскопічний опис критичної поведінки тривимірного ізингоподібного магнетика за присутності зовнішнього магнітного поля. Підхід базується на методі колективних змінних, що передбачає використання ренормгрупових перетворень коефіцієнтів ефективного гамільтоніану системи як результат поетапного інтегрування статистичної суми. Обчислення виконано з використанням четвірного розподілу флуктуацій параметра порядку. З застосуванням різних способів визначення необхідної кількості кроків інтегрування (точки виходу зі скейлінгової області) одержано відповідні вирази для вільної енергії, параметра порядку та сприйнятливоті системи як функції поля та температури. Розглянуто критичну поведінку системи у випадку зовнішнього поля, що залежить від температури. Досліджено поведінку системи в околі псевдокритичної лінії та встановлено, що для одержання якісних результатів необхідно враховувати одночасне обмеження кореляційної довжини польовою та температурною змінними. Тому точка виходу зі скейлінгової області повинна бути функцією поля та температури. Побудовано скейлінгові функції для параметра порядку та сприйнятливості як універсальні характеристики системи. Результати якісно узгоджуються з даними, одержаними у рамках Монте - Карло моделювання та теоретико-польового підходу в теорії збурень, проте їх одержано без використання феноменологічних припущень і підгоночних параметрів.

136. Вплив ізовалентної домішки олова на термічне та радіаційне дефектоутворення в кремнії

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.07 Микола Миколайович Красько; НАН України; Інститут фізики. — К., 2000. — 18 с. — укp.

137. Вплив ізоморфних заміщень на електронну будову та властивості апатитоподібних сполук на основі лужноземельних елементів

автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.07 Н.А. Курган; Ін-т металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України. — К., 2008. — 20 с. — укp.

Досліджено питання електронної будови та властивостей ізоморфно-модифікованих в аніонній і катіонній підгратках апатитів кальцію та нанодисперсних апатитоподібних структур. З використанням різних спектральних методів і квантовомеханічних розрахунків проведено систематичне дослідження електронної будови зазначеного ряду апатитоподібних сполук. В ізоморфнозаміщених за ізовалентною схемою у катіонній і аніонній підгратках апатитоподідних сполуках описано зміни у закономірностях формування електронно-енергетичної структури та характеру міжатомних хімічних зв'язків. Установлено зміни у структурі валентних смуг і зарядових станів атомів залежно від типу та ступеня допіювання 3d-металами, магнієм, стронцієм і ванадієвими тетраедрами. Результати дослідження сприяють розвитку спектральноспрямованого синтезу матеріалів з заданими властивостями.

138. Вплив індукованих лазерним випромінюванням ударних хвиль на стан дефектів у вузькощілинних твердих розчинах Hg1 - x Cdx Te та Pb1 - x Snx Te

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.10 В.С. Яковина; Чернівец. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2002. — 19 с. — укp.

Досліджено вплив ударних хвиль на матеріал з макронеоднорідностями. Встановлено, що така обробка є ефективним засобом зменшення відносного об'єму виділень іншої фази. Hg1 - xCdxTe під дією ударних хвиль.

139. Вплив катіонної нестехіометрії та структурної невпорядкованості кисню в эпітаксіальних YBa2Cu3O7 плівках на надлишковий шум нормальної фази

Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук01.04.07 Олександр Йосипович Дідоборець; Дніпропетровський національний ун-т. — Д., 2002. — 20 с. рис. — укp.

140. Вплив колективних ефектів та термодинамічні і кінечні властивості низьковимірних дискретних решіткових систем

Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук01.04.02 В.В. Славін; Фіз.-техн. ін-т низ. температур ім. Б.І.Вєркіна НАН України. — Х., 2006. — 32 с. — укp.

Побудовано термодинаміку одновимірних вузькозонних електронних систем з дальнодійним потенціалом міжчастинкового відштовхування на упорядкованих і неупорядкованих решітках-матрицях за довільних значень електронної концентрації. Вивчено вплив дальнодії парного потенціалу на термодинамічні властивості цих систем. Носіями заряду є солітони дискретного типу, кожний солітон несе дробовий заряд. Доведено, що низькочастотні збудження, енергія яких є осцилювальною функцією оберненої електронної концентрації, є "домени". У випадку неупорядкованих решіток-матриць структура основного стану містить малу, але кінцеву концентрацію фрустрацій типу "доменних стінок" навіть у випадку слабкого хаосу, завдяки чому порушується дальній порядок. Установлено, що спектр елементарних збуджень має безщілинний характер. Визначено температуру, нижче за яку квантові ефекти у екситонному транспорті домінують над класичними. Показано, що у двовимірних решіткових системах з дальнодійним потенціалом міжчастинкового відштовхування в основному стані завжди реалізується упорядкована фаза, незалежно від геометрії їх підкладки, ізотропії потенціалу й концентації частинок. Причина - утворення смуг, що є періодичними в одному напрямку структури, розташованих у просторі підповідно до одновимірного алгоритму Хабарда. Це дозволяє робити висновоки про ефективне зниження розмірності двовимірних систем. У випадку квадратної геометрії підкладки має місце складна фазова діаграма, що містить каскад структурних фазових переходів першого роду. У випадку трикутної геометрії фазові переходи відсутні, а основний стан системи описується єдиним універсальним алгоритмом Хабарда.