LibRar.Org.Ua — Бібліотека українських авторефератів

Загрузка...

Головна Електроніка. Обчислювальна техніка → Ультрадисперсные субфазы в молекулярной электронике

транспорта Молекулярная электроника Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002, № 3 13 МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ 10. Li B., Yu D., Zhang S.-L. Raman spectral study of silicon nanowires // Phys. Rev. B.--- Vol. 59.--- 1999.--- P. 1645---1654. 11. Chen X., Zhao J., Wang G., Shen X. The effect of size distributions of Si nanoclusters on photoluminescence from ensembles of Si nanoclusters // Phys. Lett. A.--- 1996.-- Vol. 212.-- P. 285--289. 12. Chen G., Klimeck G., Datta S., Goddard W.A.Resonant tunnelling through quantum-dot arrays // Phys. Rev. B.--- 1994.--- Vol. 50.--- P. 8035 --- 8042. 13. Burr T. A., Seraphin A. A., Werwa E., Kolenbrander K. D. Carrier transport in thin films of silicon nanoparticles // Ibid.--- 1997.--- Vol. 56.--- P. 4818 --- 4824. 14. Zaidi S. H., Chu An.-S., Brueck S.R.J. Optical properties of nanoscale, one-dimensional silicon grating structures // J. Appl. Phys.--- 1996.--- Vol. 80, N 12.--- P. 6997 --- 7008. 15. Takagi H., Ogawa H., Yamazaki Y. et al. Quantum size effects on photoluminescence in ultra fine Si particles // Appl. Phys. Lett.--- 1990.--- Vol. 56.--- P. 2379---2380. 16. Kanzawa Y., Kageyama, Takeoka S. et al. Size-dependent near-infrared photoluminescence spectra of Si nanocrystal embedded in SiO 2 matrices // Sol. St. Com.-- 1997.-- Vol. 102.-- P. 533--537. 17. Голубев В. Г., Медведев А. В., Певцов А. Б. и др. Фотолю- минесценция тонких пленок аморфно-нанокристаллического крем- ния // ФТТ.--- 1999.--- Т. 41, № 1.--- С. 153---158. 18. Nayfeh M., Akcakir O., Belomoin G. et al. Second harmonic generation in microcrystallite films of ultrasmall Si nanoparticles // Appl. Phys. Lett. --- 2000.--- Vol. 77.--- P. 4086---4088. 19. Mitas L., Therrien J., Twesten R. et al. Effect of surface reconstruction on the structural prototypes of ultrasmall ultrabright Si 29 nanoparticles // Ibid.--- 2001.--- Vol. 78.--- P. 1918. 20. Park N. M., Kim T. S., Park S. J. Band gap engineering of amorphous silicon quantum dots for light-emitting diodes // Ibid.--- 2001.--- Vol. 78.--- P. 2575---2777. 21. Delerue C., Allan G., Lannoo M. Optical band gap of Si nano- clusters // J. Luminesc.--- 1999.--- Vol. 80.--- P. 65---73. 22. Baierle R. J., Caldas M. J., Molinari E., Ossicini S. Optical emission from small Si particles // Sol. St. Comm.--- 1997.--- Vol. 102, N 7.--- P. 545---549. 23. Hofmeister H., Huisken F., Kohn B. Lattice contraction in nanosized silicon particles produced by laser pyrolis of silane // Book of abstracts 9 th International Symp. on Small Particles and Inorganic Clusters.--- Lausanne (Switzerland). --- 1998.--- P. 1.13. 24. Porjo N., Kuustla T., Heikkila L. Characterization of photo- nic dots in Si---SiO 2 thin-film structures // Appl. Phys. --- 2001.--- Vol. 89.--- P. 4902---4904. 25. Chelan S., Elliman R. G., Gaff K., Durandet A. Luminescence from Si nanocrystals in silica deposited by helicon activated reactive evaporation // Appl. Phys. Lett.-- 2001.-- Vol. 78.-- P. 1670--1672. 26. Pavesi L., Dal Negro L., Mazzoleni C. et al. Optical gain in silicon nanocrystals // Nature.--- 2000.--- Vol. 408.--- P. 440---444. 27. Кожухов А. В., Кантер Б. З, Стенин С. И., Яновицкий З. Ш. Образование кластеров на поверхностях (111) и (100) при сублимации кремния // Поверхность. Физика, химия, механи- ка.--- 1988.--- № 7.--- C. 54---60. 28. Бугай А. А., Зарицкий И. М., Кончиц А. А., Лысенко В. С. ЭПР в кремнии, аморфизированном ионной имплантацией // ФТП.--- 1985.--- T. 19, № 2.--- C. 257---262. 29. Nishida M. Cluster model approach for electronic structure of Si and Ge(111) and GaAs(110) surfaces // Surface Science.--- 1978.--- Vol. 72.--- P. 589---616. 30. Местечкин М. М., Вайман Г. Е., Климо В., Тиньо Й. Рас- ширенныйметодХартри---Фока и его применение к молекулам.--- К.: Наукова думка, 1983. 31. Messmer R., Watkins G. D. Molecular-orbital treatment for dееp levels in semiconductors: substitutional nitrogen and the lattice vacancy in diamond // Phys. Rev. В.-- 1973.-- Vol. 7, N 6.-- P. 2568-- 2590. 32. Вisi O., Ossicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics // Surf. Sci. Rep. -- 2000. -- Vol. 38.--- P. 1---126. 33. Зимин С. П. Классификация электрических свойств пори- стого кремния // ФТП.--- 2000.--- T. 34, № 3.--- С. 359---363. 34. Новиков В. У., Козлов Г. В. Фрактальный анализ макромо- лекул // Успехи химии.--- 2000.--- Т. 69.--- С. 379---399. 35. Kux A., Chorin M. B. Band gap of porous silicon // Phys. Rev.--- 1995.--- B 51.--- Р. 17535---17544. 36. Buuren T., Dinh L. N., Chase L. L. et al. Changes in the electronic properties of Si nanocrystals as a function of particle size // Phys. Rev. Lett.--- 1998.--- Vol. 80.--- P. 3803---3806. 37. Delley B., Steigmeier E. F. Quantum confinement in Si nanoc- rystals // Phys. Rev.--- 1993.--- B 56.--- P. 1397---1400. 38. Nagase S. Polyhedral compounds of the heavier group-14 elements -- silicon, germanium, tin, and lead // Account of Chem. Research.--- 1995.--- Vol. 28 (11).--- P. 469---476. 39. Roby K. R. Quantum theory of chemical valence concepts // Mol. Phys.--- 1974.--- Vol. 27.--- P. 81---104. 40. Paterson C. H., Messmer R. P. Bonding and structures in silicon clusters: a valence-bond interpretation // Phys. Rev. B.--- 1990.--- Vol. 42.--- P. 7530---7537. 41. Ковальчук В. В. Модельний аналіз деяких кластерних спо- лук // Вісник ЧДУ ім. Ю. Федьковича.-- 1999.-- Т. 32.-- С. 8--12. 42. Zi J., Zhang K., Xie X. Comparison of models for Raman spectra of Si nanocrystals // Phys. Rev. B.-- 1997.-- Vol. 55.-- P. 9263-- 9267. 43. Bachels T., Schaefer R. Binding energies of neutral silicon clusters // Chem. Phys. Lett.--- 2000.--- Vol. 324.--- P. 365---372. 44. Chelikowsky J. R. Transition from metallic to covalent structures in silicon clusters // Phys. Rev. Lett.--- 1988.--- Vol. 60.--- P. 2669---2673. 45. Shvartsburg A. A., Jarrold M. F. Transition from covalent to metallic behaviour in group-14 clusters // Chem. Phys. Lett.--- 2000.--- Vol. 317.--- P. 615---618. 46. Jackson K., Pederson M., Wang C.-Z., Ho K.-M. Calculated polarizabilities of intermediate-size Si clusters // Physical Review A.--- 1999.--- Vol. 59, N 5.--- P. 3685---3689. 47. Kovalchuk V. V., Chislov V. V., Yanchuk V. A. Cluster model of the real silicon surface // Phys. Stat. Sol.(b).--- 1995.--- Vol. 187, N 7.--- P. K47---K50. 48. Ковальчук В. В. Квантово-химическое моделирование реальных кремниевых кластеров // Дисс. ... канд. физ.-мат. наук: Одесса, 1988. 49. Kuk Y., Jarrold M. F., Bower J. E., Brown W. L. Preparation and observation of Si 10 clusters on a Au(001)-(5Ч20) surface // Phys. Rev.--- 1989.--- B 39.--- P. 11168---11176. 50. Marsen B., Lonfat M., Scheiier P., Sattler K. The energy gap of