LibRar.Org.Ua — Бібліотека українських авторефератів

Загрузка...

Головна Електроніка. Обчислювальна техніка → Ультрадисперсные субфазы в молекулярной электронике

pristine silicon clusters // J. Electron. Spectr. Related Phen.--- 2000.--- Vol. 109.--- P. 157---168. 51. Phillips J. C. Stability, kinetics and magic numbers of Si N + (N=7--45) clusters // J. Chem. Phys.-- 1985.-- Vol. 83 (7).-- P. 3330--3333 . 52. Raghavachari K., Logovinsky V. Structure and bonding in small silicon clusters // Phys. Rev. Lett.--- 1985.--- Vol. 55, N 26.--- P. 2853 --- 2856. 53. Tomanek D., Schluter M. A. Structure and bonding of small semiconductor clusters // Phys. Rev.-- 1987.-- B 36, N 2.-- P. 1208-- 1217. 54. Pachioni G., Koutecky J. Silicon and germanium clusters --- a theoretical-study of their electronic-structures and properties // J. Chem. Phys.--- 1986.--- Vol. 84 (6).--- P. 3301---3310 . 55. Ballone P., Andreoni W., Car R., Parrinello M. Equilibrium structures and finite temperature properties of silicon microclusters from ab initio molecular-dynamics calculations // Phys. Rev. Lett.-- 1988.-- Vol. 60.-- P. 271--274. 56. Zacharias C. R., Lemes M. R., Dal Pino A. Combining genetic algorithm and simulated annealing: a molecular geometry optimization study // J. Mol. Struct.-- 1998.-- Vol. 430.-- P. 29--39. 57. Bloomfield L. A., Freeman R. R., Brown W. L. Photofrag- mentation of mass-resolved Si 2-12 + clusters // Phys. Rev. Lett.--- 1985.--- Vol. 54, N 20.--- P. 2246---2249. 14 МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002, № 3 58. Begemann W., Meiwes-Broer K. H., Lutz H. O. Unimolecular decomposition of sputtered Aln + , Cun + and Sin + clusters // Ibid.--- 1986.--- Vol. 56, N 21.--- P. 2248---2251. 59. Vardeny Z., Zhou T. X., Stoddart H. A., Taue J. Photomo- dulation spectroscopy of dangling bonds in doped and undoped a-Si:H // Sol. State. Commun.--- 1988.--- Vol. 65, N 9.--- P. 1049---1053. 60. Smith N. V. Inverse photoemission // Rep. Progr. Phys.--- 1988.--- Vol. 51.--- P. 883---921. 61. Лазнева Э. Ф., Федоров И. Н. Испарение с поверхности кремния при лазерном возбуждении // Письма в ЖТФ.--- 1988.--- T. 14, № 6.--- C. 537---540. 62. Stafast H. Initial steps in the photochemical vapour deposi- tion of amorphous silicon // Appl. Phys. A.--- 1988.--- Vol. 45.--- P. 93---102. 63. Honea E. C., Ogura A., Murray C. A. et al. Raman spectra of size-selected silicon clusters and comparison with calculated structures // Nature.--- 1993.--- Vol. 366.--- P. 42 --- 44. 64. Hagelberg F., Scheier P., Marsen B. et al. Coulomb blockade effects in charged Si 7 clusters on a graphite substrate // J. Mol. Struct.--- 2000.--- Vol. 529.--- P. 149 --- 160. 65. Bao-xing Li, Pei-lin Cao. Water adsorption on Si 20 cluster: a full-potential linear-muffin-tin-orbital molecular-dynamics study // Phys. Let. A.--- 2000.--- Vol. 275.--- P. 274---280. 66. Siek A., Porezag D., Frauenheim Th. et al. Structure and vibrational spectra of low-energy silicon clusters // Phys. Rev. A.--- 1997.--- Vol. 56, N 6.--- P. 4890---4898. 67. Gong X.G. Stability and electronic properties of nanoscale silicon clusters // Phys. Rev.--- 1995.--- В 52.--- P. 14677---14682. 68. Kovalchuk V. V. Real nanodimensional silicon particles: cluster approximation // Photoelectronics.--- 2001.--- Vol. 10.--- P. 12---17. 69. Miyazaki T., Uda T., Stich I., Terakura K.Theoretical study of the structural evolution of small hydrogenated silicon clusters // Chem. Phys. Lett.--- 1996.--- Vol. 261.--- P. 346---352. 70. Watanabe M.O., Kanayama T. Growth and transport of structure-controlled hydrogenated Si clusters for deposition on solid surface // Appl. Phys. A.--- 1998.--- Vol. 66.--- P. S1039---S1042. 71. Kiv A. E., Kovalchuk V. V., Yanchuk V. A. H adsorption by disordered Si clusters // Phys. Stat. Sol.(b).--- 1988.--- Vol. 156, N 2.--- P. K101---K103. 72. Грехов А. М., Клапченко Г. М., Цященко Ю. П. Теорети- ческие модели дефектов в аморфном кремнии // ФТП.--- 1984.--- T. 18, № 8.--- C. 1392---1396. 73. Menon M., Richter E., Subbaswamy K. R. Structural and vibration properties of Si clathrates in a generalised tight-binding molecular-dynamics scheme // Phys. Rev. B.--- 1997.--- Vol. 56 (19).--- P. 12290---12295 . 74. Hirschman K. D., Tsybeskov L., Duttagupta S. P., Fauchet P. M.Silicon-based light emitting devices integrated into microelectronic circuits // Nature.--- 1996.--- Vol. 384.--- P. 338---340. 75. Devoret M. H., Еsteve В., Urbina С. Single-electron transfer in metallic nanostructures // Ibid.--- 1992.--- Vol. 360.--- P. 547--- 550. 76. Zhuang L., Guo L., Chou S. Y . Silicon single-electron quan- tum-dot transistor switch operating at room temperature // Appl. Phys. Lett.--- 1998.--- Vol. 72.--- P. 1205---1210. 77. Kovalchuk V. V. The cluster modelling of the reaction on the Si surface // Book of Abstracts 9th International Symp. on Small Particles and Inorganic Clusters.--- Lausanne (Switzerland), 1998.--- P. 10---32. 78. Ковальчук В. В. ІЕНТ-a дослiдження поверхнi кремнiю // УФЖ.--- 1995.--- N 7.--- С. 716--719. Научный совет по проблеме «Физика полупроводников» НАНУ Министерство образования и науки Украины Украинское физическое общество Институт физики полупроводников НАНУ Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова УНКФП-1 1-я УКРАИНСКАЯ НАУЧНАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (с международным участием) ВЫСТАВКИ.КОНФЕРЕНЦИИ.СИМПОЗИУМЫ Адрес Оргкомитета: Украина, 65026, г. Одесса, ул. Дворянская, 2. Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова. НИЛ-3. Тел./факс: 380(482) 23-34-61 E­mail: , Статьи по докладам конференции планируется публиковать в журналах: "Фотоэлектроника" (Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова), "Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron." (ИФПП НАНУ, г. Киев), "Украинский физический журнал" (НАНУ), "Журнал физических исследований" (Украинс- кое физическое общество), "Functional Materials" (Институт монокристал- лов НАНУ, г. Харьков). Научные направления конференции 1. Теория зонной структуры, оптичес- кие, экситонные и фононные явления. 2. Фото-, акусто-, оптоэлектронные и электронные явления в объеме и на по- верхности полупроводников. 3. Квантовые, оптические, электричес- кие и магнитные свойства. 4. Физика современных полупровод- никовых приборов и сенсоров. 5. Полупроводниковые материалы и технологии. Объявлен конкурс на лучшие доклады, сделанные на конференции аспирантами и молодыми учеными. Украина, Одесса 10---14 сентября 2002 г.