LibRar.Org.Ua — Бібліотека українських авторефератів

Загрузка...

Головна Електроніка. Обчислювальна техніка → Фізичні властивості кремнієвих фотоперетворювачів з вбудованими дельта- та псі- шарами

сигнал у них формується за участю гетеропереходу ПК-n-Si і в самому шарі ПК. Причому форма спектральних залежностей суттєво залежить від рекомбінаційних характеристик межі поділу ПК-кремній, які можуть змінюватись у зовнішньому середовищі, зокрема при адсорбції парів води та ацетону.

6. Експериментально показана “асиметрія” впливу полярності магнітного поля (яке прикладене паралельно поверхні) на фоточутливість кремнієвих гетероструктур із тонкими шарами ПК. Зменшення фоточутливості при відхиленні надлишкових носіїв магнітним полем до освітлюваної поверхні ПК пов’язується із зміною темпу рекомбінації на межі поділу ПК-кремній за моделлю Стівенсона-Кейса. Означені структури можна використати як функціональні елементи мікроелектроніки (магніто-фотодіод з нелінійними тесла-амперними характеристиками).


СПИСОК ОПУБЛІКОВАНИХ ПРАЦЬ за темою дисертації

1. Козинець О.В., Ничипорук О.І., Момот М.М., Кислюк В.В., Скришевський В.А. Вплив магнітного поля на фотострум в гетероструктурах кремній-поруватий кремній// УФЖ.-2006.-Т.51,№6.- с.574-579.

2. Скришевський В.А., Літовченко В. Г, Клюй М І., Литвиненко С. В., Козинець О. В., Ничипорук О. І. МДН сонячний елемент із затвором з поруватого кремнію та інверсійним шаром// Вісник Київського університету, сер. Радіофізика і електроніка.- 2006.- № 2 .-c. 346 -352.

3. Козинець О.В., Іванов І.І., Гусак Н.М., Литвиненко С.В., Скришевський В.А. Особливості фотоелектричних процесів в контакті метал-поруватий кремній-кремній // Нові технології.-2004.-№3(6).-С.8-11.

4. Skryshevsky V.A., Kuznetsov G.V., Litvinenko S.V., Kozinetz A.V., Vikulov V.A., Kilchitskaya T.S., Tretiak O.V. Gas sensing properties of metal-nanocrystalline silicon-silicon heterostructures // Фотоэлектроника.-2004.-№13-С.25-29.

5. Литвиненко С.В., Козинець О.В., Скришевський В.А., Третяк O.В. Рекомбінаційні та адсорбційні властивості границі поділу між нанопористим кремнієм і кремнієвою підкладинкою // Вісник Київського університету, сер. Радіофізика і електроніка.- 2002.- № 4.-c. 314-319.

6. Cтріха В.І., Скришевський В.А., Козинець О.В., Петренко В.В. Вплив d-шарів на темнові вольт-амперні характеристики кремнієвих p-n переходів при проходженні струму через локальні рівні // УФЖ.- 2000.- T.45, N12.- C.1458-1461.

7. Козинець О.В., Кузницький З.Т., Скришевський В.А., Стріха В.І. Вплив - шарів на темнові ВАХ кремнієвих p-n переходів // УФЖ.- 1999.- Т.44, № 8.- C.1003-1006.

8. Litvinenko S., Kozinetz A., Skryshevsky V., Tretyak O. Effect of gas environment on the recombination properties of nanostructured layer-silicon interface // Nanostructures: Synthesis, Functional Properties and Application.Edited by Thomas Tsakalakos, Ilya A. Ovid’ ko and Asuri K. Vasudevan, NATO Science Series: Kluwer.-2003. -vol.128.-P.649-653.

9. Литвиненко С.В., Козинець О.В. Газові та хімічні сенсори з фотоелектричним перетворенням // Тези доп. “ Сенсорна електроніка та матеріали електронної технікиСЕМСТ-2 ” Одеса,Україна 2005-С. 120.

10. Kozinetz A.V., Nichiporuk O.I., Vlasenko N. M., Kisluk V.V., Skryshevsky V.A. Influence of magnetic field on photocurrent of silicon-porous silicon heterostructures // International Conference ”Functional Materials ICFM’2005 ”, Partenit, Ukraine.- 2005.-P.305.

11. Козинець О.В., Іванов І.І., Гусак Н.М., Литвиненко С.В., Скришевський В.А. Особливості фотоелектричних процесів в контакті метал-поруватий кремній-кремній // Тези доп. “Матеріали електронної техніки та сучасні інформаційні технологіїМЕТІТ-1”, Кременчуг, 2004.- С.31-33.

12. Skryshevsky V.A., Litovchenko V.G., Klyui N.I., Litvinenko S.V., Kozinets A.V., Nichiporuk A.V. Porous silicon cells: a new possibilities for terrestrial application // Proc. 17th European PhotovoltaicSolar Energy Conf.-Munich.-2001.-P.1858-1861.

13. Skryshevsky V.A, Kuznetsov G.V., Litvinenko S.V., Kozinetz A.V., Vikulov V.A., Kilchitskaya T.S., Tretiak O.V. Gas sensing properties of metal-nanocrystalline silicon-silicon heterostructures // Тези доп. 1-ої Української наукової конференції з фізики напівпровідниківУКНФН-1, Одеса, 2002.-С.170.

14. Skryshevsky V., Litvinenko S., Kozinets A., Benilov A. I., Skryshevski Yu., Blonsky I.V. Analysis of surface recombination velocity in nanocrystalline silicon/ silicon heterostructures: new photovoltaic transducing prinsiple for sensor application// Тези доп. 1-ого Українсько-корейського семінару “Nanophotonic and Nanophysics”, Київ, 2005.-C. 21.

15. Strikha V.I., Kozinets A.V., Kuznicki Z.T., Skryshevsky V.A. Influence of a -layer on light current-voltage characteristics of silicon solar cells // Proc. 2nd World Conf. Photovoltaic Solar Energy Conversion.- Wien.-1998.- P.198-200.

16. Skryshevsky V.A., Strikha V.I., Vikulov V.A., Kozinetc A.V., Mamikin A.V. Laugier A. Silicon solar cell with porous silicon layer // Proc. First Polish-Ukrainian Symposium“New Photovoltaic Materials for Solar Cells”.- Cracow.- 1996.- P.202-207.


АНОТАЦІЯ

Козинець О.В. Фізичні властивості кремнієвих фотоперетворювачів з вбудованими дельта- та псі- шарами. - Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків. - Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Київ, 2007.

Теоретично показана можливість збільшення коефіцієнта корисної дії кремнієвого фотоперетворювача на основі p-n переходу з тонким шаром широкозонного напівпровідника, вбудованого в область просторового заряду, за рахунок поглинання квантів з енергією 0.5 еВ

Досліджено фотовольтаїчний ефект в структурах метал-тонкий шар поруватого кремнію-кремній і показано, що поруватий кремній відіграє роль тунельно-прозорого діелектрика в означених структурах. Обгрунтовано методику визначення рекомбінаційних характеристик межі поділу поруватий кремній-кремній з аналізу спектральних залежностей фотоструму при освітленні тильної поверхні p-n переходу. Визначено швидкість рекомбінації на межі поділу в повітрі та вологій атмосфері.

Вперше експериментально показана можливість створення фотоперетворювача з інверсійним шаром, який виникає внаслідок вбудови іонів Сs+ в шар поруватого кремнію. Чисельним моделюванням отримані параметри фотоперетворення таких елементів. З