LibRar.Org.Ua — Бібліотека українських авторефератів

Загрузка...

Головна Електроніка. Обчислювальна техніка → Фізичні основи напівпровідникових приладів екстремальної електроніки

полю для умов екстремальної електроніки;

- широкодіапазонні, стабільні, високоточні кремнієві ДСТ з рекордною температурною чутливістю в області низьких температур і мінімізацією впливу саморозігріву на точність виміру;

- стійкі до впливу гама-опромінення високоточні і взаємозамінні мікроелектронні кремнієві ДСТ.

Наукова і практична новизна розроблених приладів і способів виміру фізичних величин підтверджується авторськими свідоцтвами СРСР і патентами на винахід України. Створені нові типи сенсорів для екстремальної електроніки пройшли широку апробацію в натурних умовах при випробуваннях обладнання “ТОКАМАК-15”, виробів електронної техніки, обладнання МГД-генераторів, для контролю температури кисню при заправці ракет-носіїв “Зеніт-3SL” (проект “Морський старт”), у складі багатоканальної системи температурного моніторингу об'єкта “Укриття” (4-ий блок ЧАЕС), для контролю технологічних режимів у газодобувній промисловості (бурова “Семенцівка”, Полтавське управління робіт, Україна) та ін.

Отримані в роботі результати складають новий науковий напрямок - фізичні основи напівпровідникових сенсорів екстремальної електроніки.

Апробація результатів дисертації. Основні результати дисертації доповідались і обговорювались на міжнародних та вітчизняних симпозіумах, конференціях і нарадах: XXI Всесоюзном совещании по физике низких температур (Харьков, Украина, 1980), VIII Всесоюзной конференции “Методы и способы тензометрии и их применение в народном хозяйстве” (Свердловск, Россия, 1983), II Всесоюзной конференции по физике и технологии тонких пленок (проблемные вопросы) (Ивано-Франковск, Украина, 1984), V Всесоюзной научно-технической конференции “Состояние и перспективы развития методов измерения температуры” (Львов, Украина, 1984), VIII совещании по физике поверхностных явлений в полупроводниках (Киев, Украина, 1984), Всесоюзной школе по физике поверхности (Черноголовка, Россия, 1986), IX Всесоюзном симпозиуме “Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников” (Новосибирск, Россия, 1988), VI Всесоюзной конференции “Электрические методы и способы измерения температуры” (Луцк, Украина, 1988), III Всесоюзной научно-технической конференции “Методы и способы измерения технических параметров в системах контроля и управления” (Пенза, Россия, 1989), III-VІ Міжнародних конференціях “Фізика і технологія тонких плівок” (Івано-Франківськ, Україна, 1990, 1993, 1995, 1997), Всесоюзной конференции “Микроэлектронные датчики в машиностроении” (Ульяновск, Россия, 1990), VII Міжнародній науково-технічній конференції “Електричні методи та засоби вимірювання температури” (Львів, Україна, 1992), II Українській конференції “Матеріалознавство і фізика напівпровідникових фаз змінного составу” (Ніжин, Україна, 1993), Научно-технической конференции “Приборостроение-93 и новые информационные технологии” (Винница-Николаев, Украина, 1993), XXXV Space Congress. Session IIIB “Technology, development and utilisation in space” (Florida, The USA, 1998), XII European Conference on Solid-State Transducers and the IX UK Conference on Sensors and their Applications (Southampton, UK, 1998), II and III International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. ASDAM98, ASDAM2000 (Smolenice Castle, Slovakia, 1998, 2000), Международной научной конференции “Ракетно-космическая техника: фундаментальные проблемы механики и теплообмена” (Москва, Россия,1998), NASA/JPL Conference on Electronics for Extreme Environments (Pasadena, The USA, 1999), Symposium on Micro- and Nanocryogenics (Jyvaskvla, Finland, 1999), X Conference on Sensors and their Applications (Cardiff, Wales, 1999), XIII European Conference on Solid-State Transducers (The Hague, The Netherlands, 1999), The MTEC International Conference on Sensors & Transducers. NEC (Birmingham, UK, 2000), IV Минском международном форуме по тепломассобмену (Минск, Белоруссия, 2000), IV European Workshop on Low Temperature Electronics. (Noordwijk, The Netherlands, 2000), XXXII Совещании по физике низких температур (Казань, Россия, 2000), IV Международной конференции “Научные, технические и социальные аспекты закрытия Чернобыльской АЭС” (Славутич, Украина, 2000), XI International Conf. on Solid-State Sensors and Actuators (Munich, Germany, 2001), І Всероссийской конференции по проблемам термометрии (Подольск, Россия, 2001) I Українській науковій конференції з фізики напівпровідників (Одеса, Україна, 2002), VIII Temperature Symposium “In Temperature: Its measurement and control in science and industry” (Chicago, The USA, 2002), II Международной научно-практической конференции “Влияние внешних воздействующих факторов на элементную базу аппаратуры авиационной и космической техники” (Королев, Россия, 2003), Научно-практической конференции “СВЧ электронные системы, устройства и твердотельная микроэлектроника” (Киев, Украина, 2003), XXXIII Совещании по физике низких температур (Екатеринбург, Россия, 2003), III Украинской конференции по перспективным космическим исследованиям (Кацивели, Украина, 2003), III Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (Москва, Россия, 2003), Міжнародній науково-технічній конференції “Сенсорна електроніка та мікросистемні технології” (Одеса, Україна, 2004), VI European Workshop on Low Temperature Electronics (Noordwijk, The Netherlands, 2004).

Публікації по роботі. Основні результати дисертації викладені в 95 роботах, опублікованих в 33 статтях у провідних вітчизняних і закордонних наукових фахових журналах, 14 статтях у збірниках праць міжнародних наукових симпозіумів і конференцій, 3 авторських свідоцтвах СРСР, 2 патентах на винахід України, а також 43 тезах доповідей на наукових конференціях, що наведені у дисертації і не включені в автореферат.

Особистий внесок здобувача. В роботах, що ввійшли в дисертацію, узагальнені результати досліджень, виконаних автором самостійно [37,38] та в співавторстві, де автору належать визначальна роль в постановці задач і обґрунтуванні напрямку досліджень [1-15, 17-46, 49-52], суттєва роль в виборі методів дослідження, розробці методик вимірювань і спеціальної оснастки, плануванні, підготовці і проведенні експериментів [1-30, 34-52]. В усіх працях дисертант брав активну участь в обробці, аналізі, інтерпретації і узагальненні отриманих результатів, розробці фізичних моделей та підготовці публікацій. З публікацій, що надруковані в співавторстві, в дисертації використано результати, отримані здобувачем особисто.

Всі нові ефекти, представлені в дисертації, виявлені і досліджені автором.

Постановка та обґрунтування задач дослідження, усі наукові положення, що виносяться на захист, та висновки в дисертації, належать автору.

Під науковим керівництвом і особистою участю автора розроблені і виготовлені нові типи сенсорів, що впроваджені на підприємствах ракетно-космічної техніки, електронній промисловості, атомних електростанціях та ін.

Основна частина отриманих результатів доповідалась автором особисто на вітчизняних і міжнародних конференціях, симпозіумах і нарадах. Його доповіді на міжнародних конференціях “XII European Conference on Solid-State Transducers and the IX UK Conference on Sensors and their Applications” (Southampton, UK, 1998) і “XIII European Conference on Solid-State Transducers” (The Hague, The Netherlands, 1999) відзначені нагородами міжнародних комітетів.

Структура і обсяг дисертації. Дисертація складається з вступу, 7 розділів (викладенню результатів досліджень у кожному розділі передує стисла оглядова частина з питань, що розглядаються, розділ закінчується висновками), загальних висновків, списку використаних джерел та додатку. Вона містить 342 сторінки, із них 277 сторінки основного тексту, 106 рис., з яких 2 зображено на окремих сторінках, інші 104 розміщено в тексті, 20 табл. розміщено в тексті, список використаних джерел з 273 найменувань на 30 стор., 1 додаток на 33 стор.



ОС