LibRar.Org.Ua — Бібліотека українських авторефератів

Загрузка...

Головна Електроніка. Обчислювальна техніка → Формування полірованої поверхні монокристалів телуриду кадмію та твердих розчинів на його основі в травильних композиціях HNO3 - HHal - комплексоутворювач для приладів електронної техніки

використовувати новий клас травильних розчинів: бром- та йодвиділяючі травильні композиції, у яких вміст брому та йоду може до певної міри регулюватись введенням різноманітних комплексоутворювачів.

3. На основі кінетичних досліджень розроблено серію травильних композицій для різних технологічних обробок CdTe та твердих розчинів Cd1-xZnxTe і CdxHg1-xTe (полірування, селективне травлення). Показано, що найкращими поліруючими властивостями володіють розчини системи HNO3 – HCl – цитратна кислота. Оптимізовано склади травників та технологічні режими проведення операцій хімічної обробки вказаних матеріалів.


4. Показано, що висота потенціального бар'єру в структурах Au - p-CdTe суттєво залежить від хімічної обробки поверхні і змінюється від 0,8 еВ при обробці поверхні в травильній композиції системи HNO3 – HBr – тартратна кислота до 0,2 еВ при хімічному поліруванні в розчинах системи HNO3 – HCl – цитратна кислота.


5. Розроблені травильні композиції пройшли випробування в заводських умовах при виготовленні фотоприймачів на основі CdxHg1-xTe та детекторів іонізуючого випромінювання на основі CdTe і Cd1-xZnхTe, а також використовуються в науково-дослідницькій практиці в лабораторіях ІФН НАН України.


СПИСОК ПРАЦЬ, ОПУБЛІКОВАНИХ ПО ТЕМІ ДИСЕРТАЦІЇ


1. Білевич Є.О., Томашик В.М., Томашик З.Ф., Даниленко С.Г. Хімічне травлення монокристалів телуриду кадмію та твердих розчинів на його основі в розчинах системи HNO3 – HCl – винна кислота // Фізика і хімія тв. тіла. - 2000. - Т. 1, № 2. - С. 267-272.

2. Томашик З.Ф., Даниленко С.Г., Сифферт П., Томашик В.Н., Фейчук П.И., Билевич Е.О. Химическое растворение монокристаллов твердых растворов Cd1-xZnxTe, выращенных методом Бриджмена в растворах системы HNO3 – HCl – лимонная кислота // Оптоэлектроника и полупроводн. техн. - 2000. - Вып. 35. - С. 57-62.

3. Tomashik V.N., Tomashik Z.F., Danylenko S.G, Bilevych Ye.O. Chemical dissolution of III - V and II - VI semiconductor compounds in solution of HNO3 – HCl – lactic acid system. // Proceeding of SPIE. - 2001. - Vol. 4355. - P. 252-257.

4. Bilevych Ye.O., Tomashik V.N., Tomashik Z.F., Danylenko S.G. Chemical etching of the CdxHg1-xTe solid solution in the solutions of HNO3 – HCl – organic acid systems // Functional materials. - 2001. - Vol 8, № 3. - P. 488-492.

5. Билевич Е.О., Томашик В.Н., Томашик З.Ф., Комарь В.К., Даниленко С.Г. Химическое травление твердых растворов Cd1-xZnxTe в растворах системы HNO3 – HCl – органическая кислота // Оптоэлектроника и полупроводн. техн. - 2001. - Вып. 36. - С. 116-124.

6. Томашик З.Ф., Билевич Е.О., Томашик В.Н. Взаимодействие теллурида кадмия с растворами систем HNO3 – HCl (HBr) – винная кислота // Конденс. среды и межфазн. границы. - 2001. - Т. 3, № 3.- С. 237-241

7. Tomashik Z.F., Bilevych Ye.O., Siffert P., Feychuk P.I., Danylenko S.G., Tomashyk V.N. Influence of solid solution compositions on the etching rate // Fifth Intern. Conf. "Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics". - Kiev (Ukraine). - 2000. - P. 111.

8. Tomashik V.N., Tomashik Z.F., Danylenko S.G., Bilevych Ye.O. Chemical dissolution of III - V semiconductor compounds in the solutions of HNO3 – HCl – lactic acid system // Ibid. - P. 98.

9. Билевич Е.О., Томашик В.Н., Даниленко С.Г Химическое травление твердых растворов Cd1-xHgxTe в растворах HNO3 – HCl – органическая кислота // XVI Междун. научн.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения. - Москва (Россия). - 2000. - C. 95-96.

10. Томашик В.М., Томашик З.Ф., Білевич Є.О., Серіцан О.В., Даниленко С.Г. Хімічне травлення твердих розчинів Cd1-xHgxTe та Cd1-хZnxTe // X Наук.-техн. конф. "Складні оксиди, халькогеніди та галогеніди для функціональної електроніки". - Ужгород (Україна). - 2000. - C. 39.

11. Томашик В.М., Томашик З.Ф., Білевич Є.О., Даниленко С.Г., Серіцан О.В. Вплив галогеноводневої кислоти на розчинення Cd1-xZnxTe в розчинах систем HNO3 – HHal – (лимонна кислота : етиленгліколь = 1 : 1) // Там же.-C. 84.

12. Томашик В.М., Білевич Є.О., Томашик З.Ф Хімічне травлення CdTe та Cd1-xZnxTe розчинами систем HNO3 – HCl (HBr, HJ) – винна кислота // VIII Міжн. конф. з фізики і технології тонких плівок. - Івано-Франківськ (Україна). - 2001. - C. 157-158.

13. Томашик В.М., Білевич Є.О., Томашик З.Ф. Хімічне травлення CdTe та ZnxCd1-xTe в йодвиділяючих композиціях системи HNO3 – HJ – винна кислота // VIII Наук. конф. "Львівські хімічні читання - 2001". - Львів (Україна). - 2001. - C. H19.

14. Томашик З.Ф., Білевич Є.О., Томашик В.Н. Взаимодействие CdTe, ZnxCd1-xTe, CdxHg1-xTe и Te с растворами системы HNO3 – HBr – винная кислота // XV Укр. конф. з неорган. хім. з міжн. участю.- Киев (Украина).- 2001.- C. 285.

15. Білевич Є.О., Кусяк Н.В., Гуменюк О.Р. Хімічна обробка напівпровідникових сполук типу AIIBVI та AIIIBV в бром- та йодвиділяючих розчинах // Конф. молодих вчених та аспірантів "IEФ-2001". - Ужгород (Україна). - 2001. - С. 71.

16. Tomashik Z.F., Bilevych Ye.O., Tomashik V.M., Kusiak N.V., Gumenyuk O.R. Using the Gibbs Diagrams in the Chemical Etching of Semiconductors // 6th Intern. School-Conf.. "Phase Diagrams in Materials Science" (PDMS VI - 2001). - Kiev (Ukraine). - 2001, Р. 86.



АНОТАЦІЯ


Білевич Є.О. “Формування полірованої поверхні монокристалів телуриду кадмію та твердих розчинів на його основі в травильних композиціях систем HNO3 – HHal – комплексоутворювач для приладів електронної техніки”. – Рукопис.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. – Інститут фізики напівпровідників НАН України, Київ, 2002.

Дисертація присвячена дослідженню взаємодії CdTe і твердих розчинів Cd1-xZnxTe та CdxHg1-xTe з розчинами систем HNO3 – HHal – комплексоутворювач і розробці на основі отриманих експериментальних результатів травильних композицій та режимів обробки поверхні вказаних напівпровідників. З використанням математичного планування експерименту побудовано поверхні однакових швидкостей травлення (діаграми Гіббса) вказаних напівпровідників в досліджуваних системах розчинів при використанні ацетатної, лактатної, тартратної та цитратної кислот як комплексоутворювача та хлоридної, бромидної і йодидної як галогенідних кислот. Досліджено кінетичні закономірності процесу розчинення та встановлено межі існування областей поліруючих і неполіруючих розчинів в кожній з досліджуваних систем.

Встановлено, що введення до HNO3 різних галогенідних кислот або комплексоутворювачів призводить до зміни як швидкості травлення, так і стану оброблюваної поверхні. На основі аналізу методом ЕЗМА та РФС поверхневих плівок, що